Эта публикация цитируется в 1 статье

Сегнетоэлектричество

Динамика решетки, сегнетоэлектрическая и антиферродисторсионная неустойчивость в объемном кристалле и тонких пленках SrZrO$_3$

В. С. Жандун, В. И. Зиненко

Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск

Аннотация: В рамках неэмпирической модели ионного кристалла были рассчитаны динамика решетки и энергетика фаз, связанных с антиферродисторсионными и сегнетоэлектрическими искажениями объемных кристаллов и тонких пленок кристалла SrZrO$_3$. В случае объемного кристалла получены наиболее выгодные по энергии фазы, которые оказались связанными с антиферродисторсионными искажениями решетки. Сегнетоэлектричество в кристалле SrZrO$_3$ подавляется структурными искажениями решетки. В случае тонких пленок получено, что сегнетоэлектрическая нестабильность сохраняется после “поворота” кислородного октаэдра и пленка остается полярной как в случае свободной поверхности, так и при учете подложки SrTiO$_3$. Рассчитана величина спонтанной поляризации тонких пленок разной толщины в сегнетоэлектрической фазе.

Поступила в редакцию: 19.10.2011
Принята в печать: 10.12.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:7, 1388–1396

Реферативные базы данных:

•