RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2012, том 54, выпуск 7, страницы 1271–1275 (Mi ftt12932)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводники

Механизм переноса заряда в интеркалированных соединениях Cu$_x$HfSe$_2$

В. Г. Плещевa, Н. В. Барановab, Н. В. Мельниковаa, Н. В. Селезневаa

a Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Впервые на интеркалированных образцах Cu$_x$HfSe$_2$ (0 $\le x\le$ 0.18) наряду с измерениями электросопротивления на постоянном токе проведены измерения на переменном токе с использованием методики импедансной спектроскопии. Полученные результаты указывают, что перенос заряда в соединениях Cu$_x$HfSe$_2$ происходит по прыжковому механизму. Обнаружено, что увеличение содержания меди в образцах приводит к ускорению релаксационных процессов. Проводимость на переменном токе испытывает частотную дисперсию, которая описывается универсальным динамическим откликом.

Поступила в редакцию: 11.01.2012


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:7, 1348–1352

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026