Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводники

Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации (к 50-летию полета Ю.А. Гагарина в космос)

И. Л. Шульпина^a, Б. Г. Захаров^b, Р. В. Парфеньев^a, И. И. Фарбштейн^a, Ю. А. Серебряков^b, И. А. Прохоров<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский центр "Космическое материаловедение" Института кристаллографии им. A. В. Шубникова, г. Калуга

Аннотация: Кратко описана история выращивания кристаллов полупроводников на борту космических аппаратов и их последующего исследования. На примере кристаллов Ge(Ga), GaSb(Si), GaSb(Te) показано, что при их рекристаллизации вертикальным методом Бриджмена в условиях физического моделирования микрогравитации на Земле удается избежать формирования сегрегационных полос роста, главным образом за счет существенного ослабления термогравитационной конвекции. По своей структуре и распределению примеси они приближаются к выращенным в космосе. Исследование рекристаллизации Te позволило определить роль характерного для условий микрогравитации “эффекта отрыва” и особенности микроструктуры образцов, кристаллизующихся со “свободной” поверхностью. Анализ результатов экспериментов в космосе позволяет лучше понять процессы, происходящие при кристаллизации расплавов, и совершенствовать наземную технологию выращивания кристаллов.

Поступила в редакцию: 13.12.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:7, 1340–1344

Реферативные базы данных:

•