Эта публикация цитируется в 14 статьях

Примесные центры

Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4$f$-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO

М. М. Мездрогина^a, М. В. Еременко^a, С. М. Голубенко^b, С. Н. Разумов<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, дополнительно введенных примесей, режимов постростового отжига на спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4$f$-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов (Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO. Пленки получены методами молекулярно-лучевого эпитаксиального роста и магнетронного распыления. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими. Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра фотолюминесценции: уменьшению интенсивности излучения, сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Концентрация азота определялась методом ядерных реакций.
Обнаружены интенсивные линии излучения внутрицентровых 4$f$-переходов редкоземельных элементов (Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO, полученных методом магнетронного распыления, интенсивность излучения линий увеличивается при введении ко-допантов – Ce, Er.

Поступила в редакцию: 15.06.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:6, 1235–1244

Реферативные базы данных:

•