Аннотация:
Исследованы полевые зависимости магнитного момента поликристаллических пленок магнетита, формируемых методом импульсного лазерного осаждения на подложке из кремния при добавлении подслоя железа. Изучено влияние последовательности расположения слоев Fe/Fe$_3$O$_4$ и Fe$_3$O$_4$/Fe на магнитные характеристики этих структур. Оказалось, что увеличение намагниченности насыщения, а также формирование прямоугольной формы петли гистерезиса со значением коэрцитивной силы, приемлемой для применений тонкопленочного магнетита в качестве магнитожесткого электрода магнитного туннельного перехода, наблюдается только для последовательности расположения слоев Fe/Fe$_3$O$_4$. Изучалось влияние температуры вакуумного отжига на магнитные свойства поликристаллических образцов структуры Fe/Fe$_3$O$_4$. Обнаружено, что наилучший результат достигается при температуре отжига 500$^\circ$C. Сформулирована феноменологическая модель описания магнитных свойств двухслойной магнитной поликристаллической структуры Fe/Fe$_3$O$_4$. Результаты численных расчетов показали, что введение всего лишь двух феноменологических анизотропных взаимодействий в выражение для энергии пленки позволяет качественно описать наблюдаемые экспериментальные данные по форме петель гистерезиса.