Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа

С. А. Масалов, К. В. Калинина, В. П. Евтихиев, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассматривается процесс полевой эмиссионной инжекции низкоэнергетических электронов ($E_e\approx$ 10 eV) в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe. Зонд сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа используется как полевой эмиттер. Показано, что энергии инжектированных электронов достаточно для ударной ионизации в ZnSe. Ударная ионизация создает высокую концентрацию неравновесных носителей в приповерхностном слое ZnSe. Проведено моделирование транспорта неравновесных носителей в исследуемой гетероструктуре. Учитываются электрическое поле приповерхностного объемного заряда и поверхностная рекомбинация. Расчет показал высокую эффективность заполнения неравновесными носителями активной области CdSe.

Поступила в редакцию: 25.10.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:6, 1126–1130

Реферативные базы данных:

•