Аннотация:
Первопринципным методом FLAPW-GGA выполнен прогноз электронных и магнитных свойств оксихалькогенидов LaCuSO и LaCuSeO со слоистой структурой типа ZrCuSiAs, допированных примесными атомами M = Mn, Fe и Co. Показано, что частичное замещение в структуре исходной матрицы атомов меди атомами 3$d^{n<9}$ металлов приводит к переходу оксихалькогенидов-немагнитных полупроводников - в состояние магнитного полуметалла со 100% спиновой поляризацией прифермиевских электронов. При этом магнитные и проводящие свойства систем LaCu$_{1-x}$M$_x$S(Sе)O определены состояниями блоков [Cu$_2$(S,Sе)$_2$] с магнитными примесями, разделенных немагнитными полупроводниковыми блоками [La$_2$O$_2$].