Эта публикация цитируется в 2 статьях

XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года)

Влияние точечных дефектов на фазовые переходы в сегнетоэлектрических нанокристаллах

В. Н. Нечаев, А. В. Висковатых

Воронежский государственный технический университет

Аннотация: Получены зависимости температуры фазового перехода сегнетоэлектрических нанокристаллов в матрице диэлектрика от концентрации в них точечных заряженных дефектов. Исследовано влияние точечных дефектов на нелинейные характеристики сегнетоэлектрических нанокристаллов в зависимости от величины и направления внешнего электрического поля при точном учете деполяризующих электрических полей и нелокальных эффектов.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:5, 1011–1013

Реферативные базы данных:

•