Эта публикация цитируется в 7 статьях

XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года)

Микроскопия сопротивления растекания поликристаллических и монокристаллических сегнетоэлектрических пленок

Е. В. Гущина^a, А. В. Анкудинов^ab, Л. А. Делимова^a, В. С. Юферев^a, И. В. Грехов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии изучались тонкие пленки на основе цирконата титаната свинца со стехиометрическим составом вблизи морфотропной границы. На всех образцах, независимо от типа подложки, способа нанесения, а также толщины пленки, наблюдалась зависимость локальной проводимости от направления локальной поляризации. Показано, что отклик тока на приложенное напряжение демонстрирует длинную релаксацию тока порядка десятков секунд, что на два-три порядка больше, чем время релаксации тока во внешней цепи, связанное с переключением сегнетоэлектрического домена. Особенности проводимости объясняются перезарядкой глубоких уровней, локализованных на границах сегнетоэлектрических зерен вблизи электродов и участвующих в экранировании поляризационного заряда.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:5, 1005–1007

Реферативные базы данных:

•