Эта публикация цитируется в 13 статьях

XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года)

Эволюция доменных процессов при переходе от классического сегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику-релаксору

М. В. Таланов, Л. А. Шилкина, Л. А. Резниченко

Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, г. Ростов-на-Дону

Аннотация: Исследованы зависимости относительной диэлектрической проницаемости от величины внешнего смещающего электрического поля керамик системы $y$PZN–$m$PMN–$n$PNN–$x$PT ($x$ = 0.25–0.40). Показана эволюция доменных процессов при концентрационном переходе от классического сегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику-релаксору. Сделаны предположительные выводы о механизмах протекания индуцированных электрическим полем переходов из релаксорного в “нормальное” сегнетоэлектрическое состояние.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:5, 990–991

Реферативные базы данных:

•