XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года)

Доменная структура в сегнетоферромагнитных пленках

С. А. Аль Рифаи^a, Б. М. Даринский^a, А. П. Лазарев^b, А. С. Сигов<sup>c

a</sup> Воронежский государственный университет
^b ООО "Росбиоквант", Воронеж, Россия
^c Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрены условия фазового перехода в сегнетомагнитную фазу в пленках сегнетоферромагнетиков по механизму потери устойчивости исходного однородного состояния. Определены геометрия доменной структуры и температура перехода в неоднородное состояние. Установлено условие фазового перехода в сегнетомагнитную фазу, определяемое соотношением между температурно-зависимыми коэффициентами разложения термодинамического потенциала в ряд по компонентам векторов поляризации и намагниченности. Исследовано влияние свободных носителей заряда на геометрию доменной структуры и температуру перехода. Обсуждается возможность реализации монодоменного состояния. Определено значение диэлектрической проницаемости полидоменного образца. Указано на возможность использования изучаемого материала для неразрушающей записи и считывания информации.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:5, 980–983

Реферативные базы данных:

•