Эта публикация цитируется в 4 статьях

XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года)

Регулярные доменные структуры, созданные электронным лучом в стехиометрических кристаллах LiNbO$_3$

Л. С. Коханчик^a, М. Н. Палатников^b, О. Б. Щербина<sup>b

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл, Россия
^b Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И. В. Тананаева, Кольский научный центр РАН, Апатиты, Мурманская обл., Россия

Аннотация: Осуществлена электронно-лучевая запись регулярных доменных структур в $Z$-срезах кристаллов LiNbO$_3$ толщиной 0.75 mm стехиометрического и близкого к стехиометрическому составов. Кристаллы выращены методом Чохральского из расплава с избытком Li$_2$O (58.6 mol.%) и из расплава конгруэнтного состава в присутствии 6 wt.% щелочного растворителя (флюса) – K$_2$O. В обоих кристаллах определены пороговые дозы зарядa, необходимые для формирования индивидуальных доменов, и найдены оптимальные условия рисования периодических структур путем последовательных локальных облучений. Доменные решетки похожего типа (периоды 6.5; 7 и 10 $\mu$m) сформированы в обоих типах стехиометрических кристаллов.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:5, 962–964

Реферативные базы данных:

•