Эта публикация цитируется в 15 статьях

XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года)

Токи утечки в тонких сегнетоэлектрических пленках

Ю. В. Подгорный, К. А. Воротилов, А. С. Сигов

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия

Аннотация: Исследованы основные механизмы составляющих тока утечки тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС), сформированных золь-гель-методом. Определены характерные области вольт-амперных характеристик, в которых действуют различные механизмы переноса зарядов. Показано, что существует переходная область, разделяющая области, в одной из которых при низких напряжениях ток утечки зависит от свойств контакта электродов с пленкой ЦТС, а в другой ток утечки определяется собственными свойствами объема пленки ЦТС, а основным механизмом переноса зарядов является эмиссия Пула–Френкеля. В переходной области имеет место скачкообразное изменение тока, обусловленное релаксирующим пробоем барьера Шоттки. Определены временные зависимости токов утечки, при этом если до пробоя барьера Шоттки ток утечки уменьшается с увеличением времени задержки, то после пробоя характер этой зависимости изменяется на противоположный.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:5, 911–914

Реферативные базы данных:

•