Эта публикация цитируется в 35 статьях

Графены

Энергия замещения атомов в системе эпитаксиальный графен-буферный слой-SiC-подложка

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона рассмотрена энергия связи атома X (X = B, Al, Ga, In, N, P, As, Sb), замещающего атомы углерода в однолистном графене, буферном слое и на поверхности (0001) SiC-подложки или атом кремния на поверхности $(000\bar1)$ SiC-подложки. В рамках простой модели, основанной на атомных радиусах, рассмотрен вклад энергии деформации, вызванный релаксацией примесной связи. Получены выражения для разности энергий замещения атома углерода в буферном слое и однолистном графене и в случае замещения атомов кремния и углерода на поверхности SiC-подложки.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:4, 875–882

Реферативные базы данных:

•