Аннотация:
В рамках теории функционала плотности выполнено исследование структуры и устойчивости малых нейтральных и положительно заряженных кластеров оксида цинка (ZnO)n в диапазоне $n$ = 2–9. Показано, что для $n\le$ 7 наиболее устойчивые кластеры представляют собой плоские кольца, а для $n$ = 8, 9 предпочтительным являются трехмерные каркасные структуры. Определены энергии и основные каналы фрагментации кластеров. Найдено, что фрагментация заряженных кластеров с $n>$ 6 происходит преимущественно с образованием иона (ZnO)$^+_4$, что объясняет имеющиеся масс-спектрометрические данные по ионизации кластеров оксида цинка электронным ударом.