Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводники

Влияние интеркаляции меди на резистивное состояние соединений в системе Cu–HfSe$_2$

В. Г. Плещев^a, Н. В. Селезнева^a, Н. В. Баранов<sup>ab

a</sup> Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
^b Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Впервые синтезированы поликристаллические образцы интеркалированных соединений Cu$_x$HfSe$_2$ и проведены измерения их электросопротивления на постоянном и переменном токе (частотой 200 Hz–150 kHz) в области температур 80–300 К. Показано, что интеркаляция атомов меди между трехслойными блоками Se–Hf–Se приводит к росту электросопротивления образцов и более ярко выраженному активационному характеру его температурной зависимости. Выявлена зависимость электросопротивления образцов Cu$_x$HfSe$_2$ от времени при комнатной температуре, наличие которой связывается с присутствием ионов меди.

Поступила в редакцию: 28.09.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:4, 716–721

Реферативные базы данных:

•