Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводники

Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии

Л. К. Орлов^ab, Э. А. Штейнман^c, Т. Н. Смыслова^a, Н. Л. Ивина^a, А. Н. Терещенко<sup>c

a</sup> Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, г. Черноголовка, Моск. обл.

Аннотация: Рассматриваются механизмы и особенности роста слоев карбида кремния в методе вакуумной химической эпитаксии в интервале ростовых температур от 1000 до 700$^\circ$C. На основании проведенных исследований спектров фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн и данных масс-спектрометрического анализа изучена структура формируемого гетероперехода. Обнаружено значительное возрастание концентрации точечных дефектов и отсутствие выраженной дислокационной структуры в слое кремния, прилегающего к гетеропереходу 3С-SiC/Si. По данным морфологических исследований поверхности растущей пленки по аналогии с теорией термического окисления кремния построена теория карбидизации поверхностных слоев кремния. Отличительной особенностью рассмотренной модели является включение в нее встречных, от подложки к поверхности структуры, диффузионных потоков атомов кремния. Проведены оценки скорости роста пленок и энергии активации диффузионных процессов. Проведенные эксперименты в совокупности с разработанной моделью роста, объясняют наблюдаемые на практике образования пустот под формируемым карбидным слоем в матрице кремния и возможность формирования развитой морфологии поверхности (островковый рост пленки) даже в условиях использования в реакторе только одного потока углеводорода.

Поступила в редакцию: 19.07.2011
Принята в печать: 20.09.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:4, 708–715

Реферативные базы данных:

•