Аннотация:
Теоретически исследованы поверхностные электронные состояния таммовского типа на границе одномерной структуры с периодически потенциальным профилем при условии, что на этой границе находится $\delta$-образная квантовая яма. Проведено сравнение свойств поверхностных электронных состояний в такой структуре с таммовскими электронными состояниями в отсутствие квантовой ямы на границе решетки, а также с электронными состояниями, локализованными вблизи $\delta$-образной потенциальной ямы, расположенной в глубине решетки. Показано, в частности, что наличие $\delta$-образной потенциальной ямы на границе решетки способствует существенному увеличению степени локализации поверхностных электронных состояний таммовского типа и делает возможным возникновение этих состояний при сколь угодно малых высотах потенциальных барьеров решетки.
Поступила в редакцию: 09.06.2011 Принята в печать: 10.08.2011