Эта публикация цитируется в 3 статьях

Оптические свойства

Люминесценция алмаза, индуцированная ионной имплантацией He$^+$ в композиты SiC/C со структурой инвертированного опала

А. Н. Терещенко^a, В. И. Зиненко^b, И. И. Ходос^b, Ю. А. Агафонов^b, А. А. Жохов^a, В. М. Масалов^a, Э. А. Штейнман^a, Г. А. Емельченко<sup>a

a</sup> Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Аннотация: Исследованы фотолюминесценция образцов нанокомпозитов SiC/C, индуцированная имплантацией ионов гелия, и их структура, выявленная методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. В структуре композитов кроме кристаллитов карбида кремния, графита и аморфного углерода обнаружены сферические частицы углерода, содержащие концентрические графитоподобные оболочки (луковицеобразные частицы). Установлено, что луковицеобразные частицы образуются в процессе изготовления нанокомпозитов SiC/C при высокотемпературной обработке. Показано, что после имплантации с последующей термообработкой образцы демонстрируют люминесценцию, характерную для N-V-центров в алмазе. Сделано предположение, что кристаллиты алмаза образуются в центре луковицеобразных частиц в процессе высокотемпературной обработки композита.

Поступила в редакцию: 17.08.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:3, 586–592

Реферативные базы данных:

•