Эта публикация цитируется в 4 статьях

Диэлектрики

Крупномасштабные флуктуации потенциала, обусловленные неоднородностью состава SiO$_x$

Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методом высокоразрешающей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен ближний порядок в аморфных пленках SiO$_x$ (0 $\le x\le$ 2). Как модель случайных связей, так и модель случайной смеси не описывают экспериментальные фотоэлектронные спектры SiOx ($x\le$ 2). Предложена промежуточная модель строения SiO$_x$. Измеренные фотоэлектронные спектры валентной зоны SiO$_x$ ($x\le$ 2) свидетельствуют о присутствии в них кремниевой фазы и оксида кремния.

Поступила в редакцию: 20.07.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:3, 493–498

Реферативные базы данных:

•