Аннотация:
Представлены результаты исследования люминесценции кристаллов Li$_6$Gd(BO$_3$)$_3$ : Ce$^{3+}$ при селективном фотовозбуждении на низшие возбужденные состояния матричного иона Gd$^{3+}$ и примесного иона Ce$^{3+}$ в температурном интервале от 100 до 500 K, где обнаружены существенные изменения в механизмах миграции и релаксации энергии электронных возбуждений. Монотонное возрастание в 10–15 раз интенсивности полосы люминесценции с энергией 3.97 eV объяснено в рамках модели, учитывающей конкуренцию двух процессов: миграции энергии электронных возбуждений в цепочках ионов Gd$^{3+}$ и колебательной релаксации энергии между уровнями $^6I_J$ и $^6P_J$. Показано, что излучательные переходы в ионах Ce$^{3+}$ с нижнего возбужденного состояния 5d$^1$ на $^2F_{5/2}$- и $^2F_{7/2}$-уровни основного состояния обусловливают две пары полос фотолюминесценции: 2.08 и 2.38 eV (центр Ce1) и 2.88 и 3.13 eV (центр Ce2). Обсуждаются возможные модели центров свечения Ce1 и Ce2.