Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводники

Резонансное и релаксационное поглощение ультразвука анизотропными ян-теллеровскими центрами в GaAs

К. А. Барышников^a, Н. С. Аверкиев^a, А. М. Монахов^a, В. В. Гудков<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург

Аннотация: Теоретически изучен вклад эффекта Яна-Теллера в поглощение ультразвуковой волны кристаллом GaAs, легированным медью. Отличительной особенностью рассматриваемой задачи является существование двух дырок в состоянии сложной валентной зоны. Найдена величина туннельного расщепления в ян-теллеровском центре. Получены теоретические значения коэффициентов поглощения для резонансного и релаксационного типов поглощения. Оценены величины этих коэффициентов.

Поступила в редакцию: 05.09.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:3, 468–477

Реферативные базы данных:

•