Эта публикация цитируется в 14 статьях

Системы низкой размерности

Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода

А. В. Боряков, Д. Е. Николичев, Д. И. Тетельбаум, А. И. Белов, А. В. Ершов, А. Н. Михайлов

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии совместно с профилированием по глубине ионным распылением изучен химический и фазовый состав пленок оксида кремния с самоорганизованными нанокластерами, полученными методом ионной имплантации углерода в пленки субоксида SiO$_x$ ($x <$ 2) с последующим отжигом в атмосфере азота. Установлено, что относительная концентрация кислорода в максимуме распределения имплантированных атомов углерода понижена, тогда как относительная концентрация кремния остается практически одинаковой по глубине в слое, где содержится имплантированный углерод. Найдены распределения по глубине углерода и кремния в различных химических состояниях. В областях, прилегающих к слою с максимальным содержанием углерода, в результате отжига формируются слои оксида кремния, близкие по составу к SiO$_2$, с нанокристаллами кремния, а в самом имплантированном слое, кроме фазы SiO$_2$, присутствуют оксидные формы кремния Si$^{2+}$ и Si$^{3+}$ со стехиометрическими формулами SiO и Si$_2$O$_3$ соответственно. Углерод присутствует в пленке в виде фаз SiC и элементарного углерода. Оценен нижний предел среднего размера нанокластеров кремния ($\sim$2 nm). На основе полученных результатов дана интерпретация спектров фотолюминесценции пленок.

Поступила в редакцию: 19.07.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:2, 394–403

Реферативные базы данных:

•