Аннотация:
Композиционный материал с высокой теплопроводностью получен капиллярной инфильтрацией меди в слой частиц алмаза размером 400 $\mu$m с предварительно нанесенным покрытием. Измерен коэффициент теплопроводности композита, который с ростом толщины покрытия от 110 до 480 nm снижается от 910 до 480 W $\cdot$ m$^{-1}$$\cdot$ K$^{-1}$. Расчет термического сопротивления границы раздела наполнитель/матрица $R$ и коэффициента теплопроводности слоя покрытия $\lambda_i$ по моделям дифференциальной эффективной среды, Лихтенекера и Хашина дает близкие численные значения $R$ и $\lambda_i\approx$ 1.5 W $\cdot$ m$^{-1}$$\cdot$ K$^{-1}$. Минимальная толщина покрытия $h\sim$ 100 nm, обеспечивающая пoлучение композита и максимальную его теплопроводность, соизмерима с длиной свободного пробега носителей тепла в алмазе (фононы) и в меди (электроны). Тепловая проводимость системы алмаз-покрытие карбида вольфрама–медь при этой толщине $h$ оценена как (0.8–1) $\cdot$ 10$^8$ W $\cdot$ m$^{-2}$$\cdot$ K$^{-1}$ и находится на верхнем уровне значений, характерных для совершенных границ раздела диэлектрик–металл.