Аннотация:
Исследована температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции наноразмерных квантовых ям ZnTe/CdTe/ZnTe при различных условиях возбуждения. Показано, что характер температурного затухания интенсивности люминесценции зависит от частоты возбуждающего света и при надбарьерном возбуждении сильно зависит от плотности оптического возбуждения. Обнаружено, что увеличение интенсивности возбуждения приводит к насыщению термического тушения люминесценции в области низких температур. Сделан вывод, что такое поведение отражает насыщение центров безызлучательной рекомбинации фотовозбужденными носителями.