RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2012, том 54, выпуск 1, страницы 85–91 (Mi ftt12729)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Сегнетоэлектричество

Диэлектрические свойства твердых растворов $(1-x)$(KBi)$_{1/2}$TiO$_3$$x$Na$_{1/4}$Bi$_{3/4}$Fe$_{1/2}$Ti$_{1/2}$O$_3$ вблизи морфотропной фазовой границы

Ю. В. Радюш, Н. М. Олехнович, А. В. Пушкарев

НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия

Аннотация: Приводятся результаты исследования диэлектрических свойств керамики твердых растворов $(1-x)$(KBi)$_{1/2}$TiO$_3$$x$Na$_{1/4}$Bi$_{3/4}$Fe$_{1/2}$Ti$_{1/2}$O$_3$ вблизи морфотропной фазовой границы (МФГ), лежащей в районе $x$ = 0.75 и разделяющей составы с орторомбической ($x<$ 0.75) и ромбоэдрической ($x>$ 0.75) структурами. Показано, что для твердых растворов наблюдается размытый фазовый переход с температурой Кюри $T_{\mathrm{C}}$ 640–650 K. На основе анализа частотной зависимости мнимой составляющей электрического модуля в области $T>T_{\mathrm{C}}$ сделано заключение, что переход системы твердых растворов вблизи морфотропной фазовой границы ($x$ = 0.75) в дипольно упорядоченное состояние сопровождается образованием гетерофазных микрообластей, различающихся временем релаксации диэлектрической поляризации. Найдены величины энергии активации релаксации диэлектрической поляризации $(\Delta E_M)$ в указанной области температур и носителей заряда постоянного тока $(\Delta E_{dc})$. Установлено, что $\Delta E_{dc}$ в районе 570 K скачкообразно увеличивается при переходе в область более высоких температур. Обнаружено, что при температурах ниже 400 K поведение характеристик диэлектрического отклика твердых растворов соответствует релаксорному сегнетоэлектрику. Оцененная температура замерзания дипольных кластеров релаксационного состояния для составов 0.7 $\le x\le$ 0.8 составляет примерно 240 K. Энергия их активации уменьшается с увеличением $x$.

Поступила в редакцию: 14.04.2011
Принята в печать: 27.06.2011


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:1, 91–97

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026