Механизмы модификации энергетического спектра в высокотемпературных сверхпроводниках висмутовой, таллиевой и ртутной систем под действием легирования и увеличения числа медь-кислородных слоев
Аннотация:
Представлены результаты сравнительного исследования особенностей электронного транспорта и сверхпроводящих свойств в бесцепочечных высокотемпературных сверхпроводниках висмутовой, таллиевой и ртутной систем с различным уровнем и типом легирования, а также числом медь-кислородных слоев. Показано, что модель асимметричной узкой зоны позволяет удовлетворительно описать данные по температурным зависимостям коэффициента термоэдс для всех исследованных систем, что доказывает возможность применения данной модели в качестве универсального метода описания и анализа особенностей электронного транспорта в высокотемпературных сверхпроводниках различных систем. Определены параметры энергетического спектра и системы носителей заряда в нормальной фазе, выявлены общие для различных систем закономерности в трансформации энергетического спектра под действием легирования и роста числа медь-кислородных слоев. Сделаны выводы о характере и механизмах влияния параметров энергетического спектра в нормальном состоянии на сверхпроводящие свойства бесцепочечных высокотемпературных сверхпроводников в optimally-doped и underdoped режимах легирования. Показано, что в underdoped режиме независимо от типа легирования во всех исследованных системах для фаз с различным числом медь-кислородных слоев зависимость критической температуры от эффективной ширины проводящей зоны имеет характер, близкий к универсальному.
Полный текст:
PDF файл (757 kB)
