Оптические свойства, фотоника

Резонансное отражение света от периодической системы квазидвумерных слоев наночастиц Bi в GaAs

Е. Д. Поленок^ab, В. В. Преображенский^c, М. А. Путято^c, Б. Р. Семягин^c, Н. С. Потапович^a, В. П. Хвостиков^a, В. И. Ушанов^a, В. В. Чалдышев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Показана возможность создания и изучены оптические свойства структуры, представляющей собой матрицу эпитаксиального GaAs со встроенной периодической последовательностью квазидвумерных слоев нановключений Bi. В спектрах оптического отражения от такой структуры обнаружен резонансный пик, обусловленный брэгговской дифракцией электромагнитных волн, рассеивающихся на системе нановключений. Значительная амплитуда пика отражения (около 15% при нормальном падении света) обусловлена тем, что длина волны брэгговского резонанса близка к длине волны локализованного поверхностного плазмонного резонанса в системе наночастиц висмута в матрице арсенида галлия.

Ключевые слова: GaAs, Bi, оптические свойства, плазмонный резонанс, наночастицы.

Поступила в редакцию: 31.10.2025
Исправленный вариант: 31.10.2025
Принята в печать: 01.11.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.11.62149.308-25

Реферативные базы данных:

•