Физика поверхности, тонкие пленки

Токи деполяризации в структуре BiFeO$_3$/TiO$_2$(Nt)Ti в зависимости от времени воздействия и величины поляризующего напряжения

Г. М. Гаджиев, Ш. М. Рамазанов, Н. С. Абакарова, Т. Н. Эфендиева

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия

Аннотация: Изучено поведение токов деполяризации пленочной структуры BiFeO$_3$/TiO$_2$(Nt)Ti после снятия внешнего напряжения в зависимости от длительности воздействия (0–4 s) и величины (30–55 V). Установлена неоднозначная связь времени релаксации и времени поляризации, обусловленная токами утечки и процессами захвата/эмиссии носителей на дефектные уровни (кислородные вакансии) образца. Релаксационные процессы и токи утечки существенно определяют электрические свойства мемристорных структур на основе BiFeO$_3$. Характерные времена релаксации и их связь с состоянием ловушек позволяют рассматривать методику анализа токов деполяризации как эффективный инструмент диагностики качества пленок и оценки их эксплуатационных пределов.

Ключевые слова: BiFeO$_3$, ток деполяризации, нанотрубки, тонкие пленки, сегнетоэлектрический мемристор.

Поступила в редакцию: 15.09.2025
Исправленный вариант: 07.11.2025
Принята в печать: 10.11.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.11.62141.252-25

Реферативные базы данных:

•