Магнетизм, спинтроника

Природа дефектов, ответственных за красный сдвиг края фундаментального поглощения и увеличение показателя преломления облученного Si$_3$N$_4$

В. А. Гриценко^ab, Ю. Н. Новиков^a, А. А. Гисматулин<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии и инфракрасного поглощения изучаются атомное строение облученного ионами бора (B$^+$) аморфного нитрида кремния Si$_3$N$_4$. Облучение ионами B$^+$ сопровождается красным смещением края фундаментального поглощения Si$_3$N$_4$. Облучение ионами B$^+$ приводит к уширению атомного Si 2$s$-уровня в направлении меньших энергий, что указывает на образование кремний–кремниевых (Si–Si) связей. Образование Si–Si связей за счет расщепления уровней связующих и анти-связующих орбиталей приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны и увеличению показателя преломления.

Ключевые слова: Si$_3$N$_4$, облучение, ионы бора, дефекты, Si–Si связи.

Поступила в редакцию: 17.10.2025
Исправленный вариант: 05.11.2025
Принята в печать: 05.11.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.11.62137.281-25

Реферативные базы данных:

•