Полупроводники

Релаксационные эффекты в $n$-CdAs$_2$ при высоких давлениях

Л. А. Сайпулаева^a, А. В. Тебеньков^b, Ш. Б. Абдулвагидов^a, А. Г. Алибеков^a, С. Ф. Маренкин<sup>c

a</sup> Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
^b Институт естественных наук и математики, Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
^c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований барических зависимостей электро- и магнитосопротивления $n$-CdAs$_2$ при давлениях до 50 GPa и в магнитных полях до 1 T. Показано, что при увеличении давления формируются высокие значения отрицательного магнетосопротивления (до 8%). Исследованы релаксационные эффекты, обусловленные пластической деформацией материалов. В интервале давлений 25–35 GPa наблюдается значительное увеличение времени релаксации электросопротивления, по-видимому, обусловленное протяженным, из-за метастабильных состояний, структурным фазовым переходом I-рода. Структурное превращение отражается и на электронной подсистеме, что приводит к нарастающим с магнитным поле минимумам на барических зависимостях магнетосопротивления.

Ключевые слова: электросопротивление, магнитосопротивление, магнитные поля, высокое давление.

Поступила в редакцию: 25.09.2025
Исправленный вариант: 27.09.2025
Принята в печать: 15.11.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.11.62129.118-25

Реферативные базы данных:

•