Обзоры

Электронный и дырочный $g$-факторы в полупроводниках и наноструктурах (Обзор)

А. В. Родина, М.А. Семина, Е. Л. Ивченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлен обзор экспериментальных и теоретических исследований спинового отклика носителей заряда в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах на внешнее магнитное поле. Количественно линейный отклик характеризуется величиной электронного или дырочного $g$ фактора. Рассмотрены различные экспериментальные методы измерения электронного $g$ фактора, начиная с исторических работ и включая современные исследования. Подробный анализ теоретических методов расчета электронного и дырочного $g$ фактора в объемных полупроводниках и наноструктурах различной формы также включает в себя фундаментальные работы прежних лет и настоящего времени.

Ключевые слова: эффект Зеемана, фактор Ланде́ ($g$ фактор), ЭПР, спиновая динамика, полупроводники.

Поступила в редакцию: 20.10.2025
Исправленный вариант: 20.10.2025
Принята в печать: 28.10.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.11.62126.282-25

Реферативные базы данных:

•