Фазовые переходы, рост кристаллов

Фазово-полевое моделирование формирования двумерных материалов в процессе эпитаксиального роста

П. Е. Львов^ab, А. И. Кочаев<sup>ac

a</sup> Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
^b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Аннотация: Разработана фазово-полевая модель формирования двумерных материалов в процессе эпитаксиального роста. В модели учитывается анизотропия энергии границы материала, тепловые флуктуации, а также наличие непрерывных процессов осаждения и испарения атомов с поверхности подложки. Изучено формирование островков с гексагональной и треугольной геометрией границ, свойственной двумерным материалам, а также процессы их роста и слияния вплоть до формирования сплошной однородной пленки. В процессе слияния двух и более островков наблюдалось формирование дефектов структуры, которые носили неравновесный характер и постепенно зарастали в процессе осаждения. Установлены закономерности динамики среднего размера, концентрации двумерных островков, а также их функции распределения по размерам.

Ключевые слова: теория фазового поля, субмонослойные пленки, ориентированный рост островков, анизотропия энергии границы, фасетирование, коалесценция.

Поступила в редакцию: 18.09.2025
Исправленный вариант: 09.10.2025
Принята в печать: 11.10.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.10.61974.257-25

Реферативные базы данных:

•