Сегнетоэлектричество

Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния

М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия

Аннотация: Сегнетоэлектрические пленки титаната бария стронция (BST) и оксида гафния (HfO$_2$) синтезированы на кремниевые подложки методом высокочастотного напыления и магнетронного распыления соответственно. Представлены результаты исследований структурного состава пленок BST и HfO$_2$ и электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-BST-Si) и (Ni-HfO$_2$-Si) на их основе.

Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки, титанат бария стронция (BST), оксид гафния (HfO$_2$), структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), электрофизические свойства.

Поступила в редакцию: 28.05.2025
Исправленный вариант: 01.10.2025
Принята в печать: 02.10.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.10.61972.148-25

Реферативные базы данных:

•