Аннотация:
Установлено резкое возрастание эффективной диэлектрической проницаемости композитов с матрицей из этиленвинилацетата при концентрациях технического углерода, соответствующих области перколяции, а также наличие максимума диэлектрических потерь при значениях концентрации, при которых доминирующий вклад в проводимость обусловлен полевой эмиссией. Выявлена корреляция между зависимостями эффективной диэлектрической проницаемости и проводимости от содержания технического углерода. В композитах с концентрацией технического углерода, соответствующей точке перколяции и выше, обнаружено расхождение между экспериментальной и расчетной зависимостями емкости плоского конденсатора с композитом между обкладками от толщины композита. Показано, что величина расхождения возрастает с увеличением проводимости и уменьшением частоты. При значении проводимости, большем $\sim$2 $\Omega$$^{-1}$$\cdot$ m$^{-1}$, емкость конденсатора перестает зависеть от толщины образца. Предложен основанный на квазиэлектростатическом приближении подход, позволяющий объяснить полученные результаты, а также высокие значения эффективной диэлектрической проницаемости полупроводящих материалов.
Полный текст:
PDF файл (570 kB)