Металлы

Влияние магнитного поля на направленную кристаллизацию галлия

А. А. Васильев^a, Д. Ю. Нефедов^a, Е. В. Чарная^a, А. Калмыкова^a, M. K. Lee^b, L.-J. Chang<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Instrument Center of Ministry of Science and Technology at National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan
^c Department of Physics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan

Аннотация: Метод ядерного магнитного резонанса использован для исследования влияния сильного магнитного поля на ориентацию кристаллических осей галлия при кристаллизации из расплава. Направленная кристаллизация галлия наблюдалась в магнитных полях 7, 9.4 и 11.7 Т по появлению узких резонансных линий, аналогичных линиям в монокристаллах. Ориентирующий эффект магнитного поля был продемонстрирован при образовании как стабильной $\alpha$-фазы галлия, так и метастабильной $\beta$-фазы. Показано, что в ориентированных областях $\alpha$-Ga кристаллическая ось a направлена вдоль магнитного поля. Доля ориентированного $\alpha$-Ga и $\beta$-Ga росла с ростом магнитного поля от 0.24 для 7 T до 0.4 для 11.7 T.

Ключевые слова: направленная кристаллизация в магнитном поле; галлий; ядерный магнитный резонанс; $\alpha$-Ga; $\beta$-Ga.

Поступила в редакцию: 08.10.2025
Исправленный вариант: 08.10.2025
Принята в печать: 10.10.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.10.61958.272-25

Реферативные базы данных:

•