Аннотация:
Построена статистическая теория образования гетероструктуры чередующихся металлической и полупроводниковой фаз в монокристаллической пленке VO$_2$ на подложке. Найдена функция распределения металлических доменов по размеру в зависимости от температуры. Получена зависимость интенсивности $I$ проходящего через пленку света от температуры $T$. Глубина и ширина провала на кривой $I(T)$ в области фазового перехода, вычисленные в рамках развитой теории, согласуются с экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 22.04.2013 Принята в печать: 08.06.2013