Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводники

Влияние состава кристаллов TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний

С. Н. Мустафаева^a, М. М. Асадов^b, Э. М. Керимова<sup>a

a</sup> Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^b Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: В кристаллах TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ различного состава изучены частотные зависимости действительной $(\varepsilon')$ и мнимой $(\varepsilon'')$ составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь $(\operatorname{tg}\delta)$ и ac-проводимости $(\sigma_{\mathrm{ac}})$ в области частот $f$ = 5 $\cdot$ 10$^4$–3.5 $\cdot$ 10$^7$ Hz. Установлено, что в изученных кристаллах имеет место релаксационная дисперсия $\varepsilon'$ и $\varepsilon''$. Изучено влияние содержания эрбия в кристаллах на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость монокристаллов TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ подчинялась закономерности $\sigma_{\mathrm{ac}}\sim f^{0.8}$, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ состояний, а также влияние состава кристаллов на эти параметры.

Поступила в редакцию: 13.05.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:12, 2466–2470

Реферативные базы данных:

•