Эта публикация цитируется в 7 статьях

Механические свойства, физика прочности и пластичность

Двойная структура волн пластической релаксации при нагружении кристаллов интенсивным ударом

Г. А. Малыгин^a, С. Л. Огарков^b, А. В. Андрияш<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, Москва, Россия

Аннотация: На основе дислокационно-кинетических уравнений и соотношений теоретически рассматривается механизм возникновения двойной структуры волн пластической релаксации при напряжениях в ударной волне $\sigma>$ 1 GPa (скоростях пластической деформации $\dot{\varepsilon}>10^6$ s$^{-1}$). Показано, что при интенсивном ударе в кристалле возникают две волны пластической релаксации. Вначале формируется первая волна (по традиционной терминологии – упругий предвестник), связанная с генерацией геометрически необходимых (ГН) дислокаций на границе сжатой и еще не сжатой частей кристалла. Затем образуется вторая волна, связанная с размножением дислокаций на ГН-дислокациях первой волны как на дислокациях леса. В результате решения релаксационных уравнений определены зависимости напряжений от скорости пластической деформации: $\sigma\sim\dot{\varepsilon}^{1/4}$ в первой волне и $\sigma\sim\dot{\varepsilon}^{2/5}$ во второй, а также зависимости напряжений от толщины мишени $D$: $\sigma\sim D^{-1/3}$ и $\sigma\sim D^{-2/3}$ соответственно. Найденные соотношения подтверждаются имеющимися в литературе экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 23.04.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:11, 2280–2288

Реферативные базы данных:

•