Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа

А. Д. Буравлев^abc, Н. В. Сибирев^ab, Д. В. Безнасюк^ab, N. Lebedeva^d, S. Novikov^d, H. Lipsanen^d, Г. Э. Цырлин<sup>abc

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^d Aalto University, Espoo, Finland

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены массивы (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов. При изучении морфологии поверхности полученных образцов методом растровой электронной микроскопии обнаружено возникновение механических колебаний одиночных нитевидных нанокристаллов. Для описания этих колебаний была создана модель, которая позволила определить модуль Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов.

Поступила в редакцию: 10.04.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:11, 2229–2233

Реферативные базы данных:

•