Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводники

Численное моделирование кинетических свойств антимонида индия

В. Г. Орлов^ab, Г. С. Сергеев<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
^b Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия

Аннотация: На основе численного решения кинетического уравнения Больцмана проведено систематическое исследование поведения кинетических коэффициентов $n$-InSb в широкой области температур и концентраций допирующих атомов. Проанализированы термоэлектрические характеристики антимонида индия. Рассмотрено влияние различных механизмов рассеяния носителей заряда на кинетические коэффициенты и эффективность термоэлектрического преобразования энергии. Выявлена природа особенностей на температурных и концентрационных зависимостях кинетических и термоэлектрических свойств $n$-InSb.

Поступила в редакцию: 25.03.2013

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:11, 2215–2222

Реферативные базы данных:

•