Эта публикация цитируется в 11 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира

Е. В. Луценко^a, Н. В. Ржеуцкий^a, В. Н. Павловский^a, Г. П. Яблонский^a, Д. В. Нечаев^b, А. А. Ситникова^b, В. В. Ратников^b, Я. В. Кузнецова^b, В. Н. Жмерик^b, С. В. Иванов<sup>b

a</sup> Институт физики НАН Белоруссии, Минск, Белоруссия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовалась спонтанная и стимулированная люминесценция в AlGaN-гетероструктурах с одиночной квантовой ямой и высоким содержанием Al (до $\sim$80 mol.% в барьерных слоях), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией на $c$-сапфировых подложках. Продемонстрировано стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне спектра на длинах волн 259, 270 и 289 nm с пороговыми значениями плотности мощности возбуждения 1500, 900 и 700 kW/cm$^2$ соответственно. Показана возможность получения ТЕ-поляризации $(\mathbf{E}\perp\mathbf{c})$ как стимулированной, так и спонтанной люминесценции, вплоть до длин волн 259 nm.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:10, 2173–2181

Реферативные базы данных:

•