Эта публикация цитируется в 10 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$

П. В. Середин^a, Э. П. Домашевская^a, В. Е. Терновая^a, И. Н. Арсентьев^b, Д. А. Винокуров^b, И. С. Тарасов^b, T. Prutskij<sup>c

a</sup> Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Mexico

Аннотация: Установлено, что в спектрах фотолюминесценции высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$ наблюдается гашение основных экситонных полос тройных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As и возникновение других максимумов. Гашение основных экситонных полос может быть связано как с образование DX-центров, так и с изменением характера зонной структуры четверных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:10, 2169–2172

Реферативные базы данных:

•