П. В. Середин, В. Е. Терновая, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij, “Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 10,страницы 2046

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si

П. В. Середин^a, В. Е. Терновая^a, А. В. Глотов^a, А. С. Леньшин^a, И. Н. Арсентьев^b, Д. А. Винокуров^b, И. С. Тарасов^b, H. Leiste^c, T. Prutskij^d

^a Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
^d Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Mexico

Аннотация: Методом высокоразрешающей рентгеновской дифракции и рентгеновского микроанализа изучен рост МОС-гидридных эпитаксиальных гетероструктур на основе тройных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As, легированных высокими концентрациями атомов фосфора и кремния. Полученные эпитаксиальные пленки представляют собой пятикомпонентные твердые растворы (As$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$)$_{1-z}$Si$_z$.