Эта публикация цитируется в 1 статье

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцeвого диапазона между уровнями Ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs

М. П. Теленков^ab, Ю. А. Митягин^a, П. Ф. Карцев<sup>c

a</sup> Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Аннотация: Изучено распределение электронов по уровням Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям GaAs/AlGaAs в условиях резонансно-туннельной накачки верхних подзон размерного квантования. Проведен численный расчет населенностей уровней Ландау в зависимости от скорости накачки (времени туннелирования), уровня легирования и напряженности магнитного поля. Продемонстрировано наличие инверсии населенности между первым уровнем Ландау первой подзоны и основным (нулевым) уровнем Ландау одной из верхних подзон в широкой непрерывной области магнитных полей. Исследовано влияние на распределение носителей различных механизмов рассеяния – как двухчастичных (электрон-электронное рассеяние), так и одночастичных (рассеяние на акустических фононах и шероховатостях интерфейса). Найден способ преодоления запрета и достижения существенных значений дипольного матричного элемента для рассматриваемого инвертированного перехода.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:10, 2154–2160

Реферативные базы данных:

•