Эта публикация цитируется в 1 статье

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Доменная структура материала полупроводниковых лазеров на основе GaN/SiC

М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, А. М. Бойко, С. И. Нестеров, С. Г. Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Доменная структура пленок гексагональных полупроводников GaN/SiC исследована методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей с целью определения возможных конфигураций доменов в пленке GaN/SiC, способных повлиять на свойства лазера на ее основе.
В результате обработки спектров малоуглового рассеяния рентгеновских лучей согласно моделям Порода и Брэгга получены данные о таких особенностях образцов, как геометрические свойства кластеров и расстояния в сверхструктурах (слоях, сверхрешетках) соответственно. Предложена модель регулярной сетки доменных стенок в пленке GaN/SiC. Подтверждена гипотеза о формировании нитевидных структур вблизи интерфейса пленки-подложки.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:10, 2150–2153

Реферативные базы данных:

•