RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 10, страницы 1950–1955 (Mi ftt12575)

Сегнетоэлектричество

Диэлектрические характеристики релаксорного состояния перовскитной керамики 0.9(Na$_{1-x}$K$_x$Bi)$_{1/2}$TiO$_3$–0.1Bi(ZnTi)$_{1/2}$O$_3$ вблизи морфотропной фазовой границы

Н. М. Олехнович, А. В. Пушкарев, Ю. В. Радюш

НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия

Аннотация: На основе рентгенодифракционных исследований найдено, что в системе твердых растворов 0.9(Na$_{1-x}$K$_x$Bi)$_{1/2}$TiO$_3$–0.1Bi(ZnTi)$_{1/2}$O$_3$ имеет место морфотропная фазовая граница, лежащая в районе $x\approx$ 0.25, которая разделяет области составов с ромбоэдрической $(R3c)$ и тетрагональной $(P4mm)$ структурами. Показано, что вблизи данной границы керамика исследованной системы проявляет свойства релаксорного сегнетоэлектрика. Приводятся результаты исследования диэлектрических свойств релаксорной керамики состава $x$ = 0.3 по данным импеданс-спектров, измеренным в диапазоне частот 25–10$^6$ Hz при температурах 100–900 K. Установлено, что в области температур релаксорного состояния, лежащей ниже температуры максимума действительной части диэлектрической проницаемости ($T'_m$ = 550 K), диэлектрическая поляризация определяется суммой вкладов дипольных кластеров и матрицы. Температурная зависимость величины вклада кластеров, определяемая кинетикой их образования и замерзания, характеризуется кривой с максимумом, лежащим в районе 400 K. Процесс замерзания дипольных кластеров растянут по температуре больше чем на 200 K.

Поступила в редакцию: 20.03.2013


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:10, 2065–2070

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026