Аннотация:
На основе полупроводников $A^2B^6$ создана пленочная фоточувствительная структура In–$n^+$–CdS-$n$-CdS$_x$Te$_{1-x}$–$p$-Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te–Mo для диапазона длин волн $\lambda$ = 0.49–0.855 $\mu$m. Такая структура в пропускном направлении при больших напряжениях смещения работает как инжекционный фотодиод и имеет высокую интегральную чувствительность $S_{\mathrm{int}}\approx$ 700 A/lm (14 500 A/W) при комнатной температуре. Обнаружено, что при малых уровнях освещенности и малых прямых напряжениях смещения (0.05–0.5 V) в такой структуре диффузионные и дрейфовые потоки неравновесных носителей направлены навстречу друг другу. Этот эффект приводит к появлению инверсии знака фототока, что позволяет на основе данной структуры создавать селективные фотоприемники с инжекционными свойствами. При обратных направлениях фототока структура также работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока, однако интегральная чувствительность в этом режиме намного меньше, чем при пропускном направлении тока.
Полный текст:
PDF файл (513 kB)
