Эта публикация цитируется в 1 статье

Оптические свойства

Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm

М. М. Мездрогина^a, Е. С. Москаленко^a, Н. К. Полетаев^a, Ю. В. Кожанова<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На основании результатов комплексных измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN$\langle$Sm$\rangle$, определения концентрации и зарядового состояния легирующей примеси Sm показано, что увеличение напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения спектров микрофотолюминесценции приводят к увеличению интенсивности излучения и сдвигу максимума излучения в коротковолновую область спектра. Измерения спектров микрофотолюминесценции при варьировании напряженности внешнего магнитного поля и введении парамагнитной и магнитной примесей дают дополнительную информацию о механизмах формирования спектров излучения в структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN$\langle$Sm$\rangle$, $\langle$Eu+Sm$\rangle$. В длинноволновой области спектра в легированных Sm, Sm + Eu структурах InGaN/GaN влияние магнитного поля на вид спектров микрофотолюминесценции меньше, чем в коротковолновой области.

Поступила в редакцию: 24.04.2012
Принята в печать: 02.10.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:5, 1043–1049

Реферативные базы данных:

•