Эта публикация цитируется в 1 статье

Диэлектрики

Многофононный механизм ионизации глубоких центров в HfO$_2$

Ю. Н. Новиков

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: В широком диапазоне электрических полей и температур теоретически изучался механизм переноса заряда в HfO$_2$. Получено согласие экспериментальных данных с результатами расчета, основанными на теории многофононной ионизации глубоких центров.

Поступила в редакцию: 15.10.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:5, 966–969

Реферативные базы данных:

•